第123章 试产烽烟（1/2）

考古发掘在刘所长团队的全力推进下紧张有序地进行，园区调整后的规划方案也在同步优化。虽然北区二期的启动不得不推迟，但核心区一期，尤其是晶圆厂和共享平台的建设，却在争分夺秒地加速。

洁净厂房内，经过三个多月的日夜调试和优化，产线终于具备了小批量试产的条件。首批试产的不是单一产品，而是三个不同客户、三种不同工艺节点的工程批：芯辰科技的新一代高压电源管理芯片（0.18微米BCD）、创芯科技的一款通信接口芯片（0.13微米混合信号），以及园区外一家初创AI芯片公司的测试结构芯片（90纳米逻辑）。这三颗芯片，涵盖了园区晶圆厂主攻的特色工艺方向，也代表着从相对成熟到更具挑战性的不同技术阶梯。

“所有设备状态确认完毕，工艺配方装载完成，第一枚硅片已经进入光刻模块。”总控室内，张铭紧盯着大屏幕上滚动的数据和监控画面，声音通过广播系统传到各个工艺区域。他身边的工程师们各就各位，神色紧张而专注。陈默和何卫东站在观察区，隔着玻璃注视着里面的一切。

第一枚硅片的旅程，如同穿越一道道精密的关卡。涂胶、曝光、显影、刻蚀、薄膜沉积、离子注入、退火、化学机械抛光……每一个步骤的参数都牵动着无数人的心。晶圆厂内异常安静，只有设备低沉的运行声和通风系统恒定的嗡鸣。

“PVD区域警报！腔室压力异常升高！”突然，一个急促的声音在通讯频道中响起。

张铭脸色一凛，立即调出PVD设备的实时监控和数据流。“暂停后续硅片进入该模块！设备工程师和工艺工程师立即到场排查！分析气体流量和靶材状态！”

几分钟后，初步判断是工艺气体中的一个质量流量控制器出现瞬时漂移，导致腔室环境扰动。备用设备启动，受影响的两片硅片被隔离标记，产线在短暂停顿后恢复运行。虚惊一场，但每个人都惊出一身冷汗。

试产就是这样，永远有意想不到的问题潜伏在某个角落。

三天后，经历了数十道工序的第一批硅片终于完成了所有前端工艺，进入电性测试环节。测试间里，自动探针台将细如发丝的探针精准地落在每一颗芯片的焊盘上，施加电压，读取电流、频率、噪声等成千上万个参数。

时间一分一秒过去，屏幕上开始滚动出现测试结果。张铭和测试工程师们紧紧盯着数据。

“A项目（芯辰），首片功能测试通过！关键参数Vbr（击穿电压）均值650V，符合650V±5%的设计规格！”

“B项目（创芯），功能测试通过！基准电压精度0.1%，达到预期！”

测试间里响起一阵压抑的欢呼。前两个相对成熟的项目开局顺利。

然而，当C项目（AI芯片测试结构）的数据开始刷屏时，气氛再次凝重起来。

“C项目，SRAM（静态随机存储器）单元良率只有62%……远低于85%的预期门槛。”测试工程师的声音有些干涩。

SRAM单元是逻辑工艺中最敏感、最考验工艺稳定性和均匀性的部分，良率低下意味着工艺窗口可能过窄，或者存在某些尚未发现的系统性缺陷。

“调出所有失效位点的分布图，还有对应的在线工艺参数。”张铭沉声命令。很快，一张标满红色失效点的晶圆地图和相关工艺参数热图呈现在大屏幕上。失效点并非完全随机，而是呈现出一定的区域性聚集。

“看这里，失效点集中在晶圆的左下象限。”张铭指着屏幕，“对应这个区域的薄膜厚度测量值有轻微的负偏，离子注入的剂量似乎也略低。可能是某个工艺模块在该区域的均匀性出了问题，也可能是测量仪器的标定有细微偏差。需要做分割实验（SplitLot）来确认。”

这意味着需要额外的时间、额外的硅片投入，进行更精细的实验来定位问题根源。试产的进程第一次遇到了实质性的阻碍。

陈默在观察区听着里面的讨论，心情也随之起伏。他知道，这才是制造业残酷而真实的一面——理论与现实之间，总是隔着无数需要攻克的技术细节和工程魔鬼。

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