第123章 苏晴的技术突破性构想（1/2）

ASML的降价公告像一颗深水炸弹，在研发中心的庆功宴上掀起了惊涛骇浪。原本喧闹的食堂瞬间安静下来，众人手里的酒杯停在半空，脸上的笑容僵住了。负责市场调研的工程师匆匆走进来，手里的平板屏幕上赫然显示着ASML官网的公告：“为支持全球半导体产业发展，ASML14n光刻机售价即日起下调50%，同时为龙国区客户提供三年免费维护及技术培训服务。”

“这是明摆着的垄断打压！”陈涛将酒杯重重砸在桌上，酒液溅到了桌布上，“他们就是看到我们的14n芯片测试成功，怕我们抢占市场，才出这种阴招。我们的芯片刚达到量产标准，成本还没降下来，他们一降价，我们根本没法竞争！”

赵磊拿着刚打印出来的成本核算表走过来，脸色凝重：“我们的14n芯片单片生产成本大概是80美元，ASML的光刻机降价后，台积电的14n芯片生产成本能降到50美元以下。要是客户选择台积电，我们连成本都收不回来。”他顿了顿，补充道，“阿拉伯能源联邦主权基金的尽职调查也因为这个消息暂停了，他们担心投资风险，要求我们提供更具竞争力的技术方案。”

林渊没有说话，而是看向了一直沉默的苏晴。她正低头看着平板，手指在屏幕上反复滑动，似乎在查阅什么资料。感受到林渊的目光，苏晴抬起头，眼神里闪烁着兴奋的光芒：“ASML的降价虽然狠，但也暴露了他们的短板。他们的14n技术已经走到了瓶颈，只能通过降价来维持市场份额，而我们有机会直接跳过7n，研发更先进的技术！”

众人都愣住了，范德霍夫教授推了推眼镜，好奇地问：“苏总，你有什么想法？要知道，从14n到7n，技术难度呈指数级增长，ASML花了五年才实现突破，我们仅凭现有团队，很难在短时间内做到。”

“我们不需要走ASML的老路。”苏晴快步走到食堂的白板前，拿起马克笔在上面画了一个芯片架构图，“ASML的7n技术是基于Fi架构的改进，通过增加栅极数量来提升性能，但这种架构的散热问题和漏电问题在7n节点会更加突出。而我们可以结合量子点掺杂技术和碳纳米管技术，研发一种全新的‘量子碳管架构’，性能有望直接超越ASML的7n，甚至接近5n。”

白板前瞬间围满了人，苏晴的笔尖在架构图上不断游走：“大家看，这是我们现有的量子点掺杂层，它能提升芯片的稳定性和导电性。如果我们将碳纳米管作为晶体管的沟道材料，取代传统的硅基材料，就能大幅提升电子迁移率，降低漏电率。而且碳纳米管的散热性能是硅的10倍以上，能完美解决高温稳定性问题。”

范德霍夫教授皱起了眉头，提出了质疑：“碳纳米管的定向排列是个世界性难题。我们之前做过实验，碳纳米管在晶圆上的排列方向混乱，导致晶体管的性能差异很大，良率根本无法保证。ASML和台积电也做过相关研究，最终因为定向排列问题放弃了碳纳米管技术。”

“这个问题我已经有解决方案了。”苏晴调出手机里的实验视频，屏幕上显示着一片晶圆，在显微镜下，碳纳米管像被无形的手牵引着，整齐地排列在量子点掺杂层上，“我利用量子点的量子隧穿效应，在晶圆表面形成了微弱的电场，碳纳米管会沿着电场方向定向排列。这个实验我做了200多次，最近的一次良率已经达到了60%，只要优化电场参数，提升到80%以上完全有可能。”

实验室里响起了一阵惊叹声。张明凑近屏幕，仔细观察着碳纳米管的排列情况：“这个排列精度太高了！比我之前在文献上看到的最高水平还要高30%。苏总，你这个想法太天才了！要是能实现工业化量产，我们的芯片性能会比ASML的7n芯片提升50%以上！”

林渊的眼睛亮了起来，他立刻拍板：“就按这个方向攻关！苏晴，你担任技术总负责人，组建专项研发团队；范教授，你负责量子点电场参数的优化；陈涛，你带领团队改进设备，适配碳纳米管的沉积工艺；赵磊，你立刻重新做成本核算，同时联系阿拉伯能源联邦主权基金，把这个技术方案报给他们，争取尽快拿到投资。”

然而，研发刚启动就遇到了麻烦。负责碳纳米管提纯的团队发现，国内采购的碳纳米管纯度只有99.9%，里面的杂质会影响量子点电场的稳定性，导致定向排列精度下降。“我们需要99.999%的高纯度碳纳米管，”团队负责人拿着检测报告说，“目前只有米国的莱斯大学能生产这种纯度的碳纳米管，但受米国制裁影响，他们根本不会卖给我们。”

苏晴没有气馁，她想起了自己在麻省理工学院做博士后时的导师——马克·赫萨姆教授，他是碳纳米管提纯领域的权威专家。苏晴立刻给赫萨姆教授发了一封邮件，详细介绍了自己的技术方案和遇到的难题，希望能得到他的帮助。

邮件发出后，一直没有得到回复。就在苏晴以为希望渺茫时，三天后的深夜，她突然收到了一封加密邮件。打开邮件，里面是一份高纯度碳纳米管的提纯工艺图纸，落款是赫萨姆教授，还附带了一句留言：“技术无国界，我相信你们的研究能推动人类半导体产业的进步。注意保密，这份图纸不能让米国政府知道。”

苏晴立刻带领团队按照图纸进行实验。提纯过程需要用到一种特殊的溶剂——超临界二氧化碳，这种溶剂能在高温高压下溶解碳纳米管中的杂质，同时不会破坏碳纳米管的结构。但国内没有量产的超临界二氧化碳提纯设备，只能自己搭建。

搭建设备的过程异常艰难。负责机械加工的工程师发现，设备的核心部件——高压反应釜的内壁需要镀上一层金刚石薄膜，以承受超临界二氧化碳的高温高压。国内只有一家企业能生产这种薄膜，但他们的生产周期需要一个月，根本赶不上研发进度。

“我们自己镀！”苏晴想起了之前研发量子点涂层时用到的磁控溅射技术，“我们可以利用磁控溅射设备，在反应釜内壁沉积金刚石薄膜。虽然厚度均匀性可能不如专业设备，但足够满足实验要求。”团队立刻行动起来，将磁控溅射设备进行改造，经过三天三夜的连续试验，终于成功在高压反应釜内壁镀上了金刚石薄膜。

当第一批次高纯度碳纳米管生产出来时，检测报告显示纯度达到了99.999%，所有人都激动不已。然而，在进行定向排列实验时，新的问题又出现了：碳纳米管在量子点电场中虽然实现了定向排列，但排列密度不足，导致晶体管的电流驱动能力达不到设计要求。

“是量子点的分布不均匀导致的。”范德霍夫教授通过原子力显微镜观察后发现，量子点在晶圆表面的分布存在明显的聚集现象，导致电场强度分布不均，“我们需要优化量子点的沉积工艺，让量子点均匀分布在晶圆表面，形成均匀的电场。”

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