第521章 昆仑机房开建(1/2)
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GCA-301CGS的工作仅仅持续了不到10分钟,就完成了所有曝光。
刘高工按下暂停键。
“光刻完成。晶圆已取出,送显影。”
一片晶圆被从工件台上取下来,放进一个专门的盒子里,由一名技术员送到显影设备那边。
显影、定影、烘干。
技术员把处理好的晶圆放在显微镜下,刘高工凑过去看。
他看了几秒,直起腰,转过身。
“图形清晰,线条边缘整齐,无显影残留。光刻胶图形符合设计要求。”
首长点了点头,没说话。
接下来是刻蚀。
晶圆被送进刻蚀机,等离子体在真空腔体内生成,带着高能离子轰击晶圆表面,把没有被光刻胶保护的区域刻掉,留下精细的电路图案。
刻蚀完成后,光刻胶被去除。
技术员把晶圆放在显微镜下,这一次,看的时间更长。
“刻蚀深度符合要求,侧壁垂直度良好,无残留。第一层图案,成型。”
然后是薄膜沉积。
化学气相沉积设备在晶圆表面沉积一层二氧化硅,作为栅极绝缘层。
再沉积一层多晶硅,作为栅极材料。
然后是光刻、刻蚀、沉积、离子注入。
一层一层的电路,在晶圆上慢慢生长出来。
吕辰跟着人群,沿着生产线一步一步往前走。
光刻区、薄膜区、扩散区、金属化区。
每经过一道工序,晶圆就多一层图案,电路的雏形就多一分。
走到金属化区的时候,已经是中午了。
最后一层金属布线沉积完成,晶圆表面覆盖着一层银白色的铝膜,在灯光下反射着柔和的光泽。
技术员把晶圆放在显微镜下,刘高工凑过去看了很久。
然后他直起腰,转过身,看着陈光远。
“晶圆制造完成。电路图案完整,没有发现明显缺陷。可以送封装区了。”
陈光远点了点头,在笔记本上记了一笔。
“封装区准备。”
晶圆被送到封装区。
划片机把晶圆切割成一颗一颗的芯片,每一颗都只有几毫米见方。
键合机把金丝焊接到芯片的焊盘和封装基板的引脚之间。
封装机把芯片密封在陶瓷外壳里。
整个过程,大部分还是手工操作。
但今天只是第一版流片,几十颗样品,手工做就够了。
众人换下洁净服,出了制造中心,往产品中心走。
下午两点,第一颗封装好的KL-SRAM芯片从封装区送了出来,送到产品中心测试区。
芯片不大,比指甲盖还小一点,银灰色的陶瓷封装,表面印着白色的丝印字。
KL-SRAM。
陈光远把那颗芯片放在手心里,看了一眼,然后递给刘星海。
刘星海接过去,看了一眼,递给首长。
首长接过去,用拇指轻轻摩挲了一下封装表面,光滑,平整,没有毛刺。
他翻过来看背面,引脚光亮,排列整齐,间距均匀。
“测试。”他把芯片还给陈光远。
陈光远接过芯片,转交给早已带队等候的戚工。
戚工把芯片插到测试板上,测试板连着午马机,午马机的显示器上,测试程序已经加载好了。
他按下“启动”键。
午马机的屏幕上,一行一行的测试向量开始跳动。
地址00→写入55→读出55→校验通过。
地址00→写入AA→读出AA→校验通过。
地址01→写入55→读出55→校验通过。
地址01→写入AA→读出AA→校验通过。
......
一行一行,绿色的“PASS”在屏幕上不断刷新。
全地址读写测试,全部通过。
陈光远又换了一个测试程序。
数据保持测试。
写入数据,等待,读出。
等待时间从1毫秒开始,慢慢增加。
1毫秒,通过。
10毫秒,通过。
100毫秒,通过。
1秒,通过。
10秒,通过。
一直到100秒,读出数据依然正确。
静态随机存取存储器的数据保持能力,没有问题。
第三个测试程序。
环境适应性测试。
测试板被放进一个温箱里,温度从25度开始,慢慢往上加。
30度,通过。
40度,通过。
50度,通过。
60度,通过。
一直加到85度,芯片依然正常工作。
温度再往下走,零下10度,零下20度,零下40度。
全部通过。
戚工把测试数据汇总,写在笔记本上,然后转过身,看着所有人。
“KL-SRAM,所有测试项目,全部通过。”
车间里安静了一瞬。
然后掌声响起来。
不是那种热烈的、喧闹的掌声,是一种很沉的、很重的掌声,像潮水一样,从人群最前面涌起来,一路往后推,填满了整个产品中心,然后往制造中心、动力中心扩散。
首长站在那里,拍着手,目光从每一张脸上扫过。
刘星海摘下眼镜,擦了擦镜片,又戴上。
夏先生靠在实验台旁边,嘴角微微翘着,眼眶有点红。
王先生站在人群后面,双手在胸前轻轻拍着,手指关节粗大,指甲剪得很短。
KL-SRAM,静态随机存取存储器,存储容量不大,只有几Kbit。
但这是中国第一颗在2微米生产线上造出来的存储芯片。
掌声落下去之后,陈光远走到首长面前。
“首长,KL-SRAM流片成功。6305厂2微米生产线,完成验收。”
首长点了点头,转过身,看着所有人。
“同志们,今天是个好日子。2微米线,跑通了。KL-SRAM,造出来了。这是第一步。后面还有11颗芯片,还有昆仑1机,还有更多的事要做。”
他顿了顿,声音提高了一些。
“但我相信,你们能做出来。”
掌声又响起来了。
陈光远宣布暂时休息,大家去会议室开会。
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